電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
    一、  GB/T2423有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成：
1 GB/T2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)a:低溫
2 GB/T2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)b:高溫
3 GB/T2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
4 GB/T2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db:交變濕熱試驗(yàn)方法
5 GB/T2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則:沖擊
6 GB/T2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞
7 GB/T2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)
8 GB/T2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed:自由跌落
9 GB/T2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb:設(shè)備用恒定濕熱
10 GB/T2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則:振動(dòng)(正弦)
11 GB/T2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求
12 GB/T2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性
13 GB/T2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性
14 GB/T2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性
15 GB/T2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
16 GB/T2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則:長霉
17 GB/T2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka:鹽霧試驗(yàn)方法
18 GB/T2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)kb:鹽霧,交變(nacl)
19 GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
20 GB/T2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
21 GB/T2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m:低氣壓試驗(yàn)方法
22 GB/T2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)n:溫度變化
23 GB/T2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q:密封
24 GB/T2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa:模擬地面上的太陽輻射
25 GB/T2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/am:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
26 GB/T2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bm:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
27 GB/T2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
28 GB/T2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t:錫焊試驗(yàn)方法
29 GB/T2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)u:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
30 GB/T2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
31 GB/T2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
32 GB/T2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
33 GB/T2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
34 GB/T2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
35 GB/T2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/afc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
36 GB/T2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
37 GB/T2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l:砂塵試驗(yàn)方法
38 GB/T2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r:水試驗(yàn)方法
39 GB/T2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee:彈跳試驗(yàn)方法
40 GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41 GB/T2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法
42 GB/T2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法
43 GB/T2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(ea)、碰撞(eb)、振動(dòng)(fc和fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(ca)等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
44 GB/T2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg:撞擊彈簧錘
45 GB/T2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)z/abdm：氣候順序
46 GB/T2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘
  47 GB/T2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg:聲振
48 GB/T2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff:振動(dòng)--時(shí)間歷程法
49 GB/T2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe:振動(dòng)--正弦拍頻法
50 GB/T2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
51 GB/T2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)